存儲(chǔ)芯片“超級周期”持續(xù)演繹 三星、SK海力士料將漲價(jià)30%

AI繁榮背景下，存儲(chǔ)芯片的這波“超級周期”，或比以往更加持久一些。

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子、SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商，將在今年第四季度繼續(xù)向客戶調(diào)整報(bào)價(jià)。幅度上，包括DRAM和NAND在內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格將上調(diào)高達(dá)30%，從而順應(yīng)AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)芯片需求激增趨勢。

整體而言，本輪漲價(jià)幅度略高于預(yù)期。早在9月下旬，三星電子便已發(fā)出第四季度提價(jià)通知，當(dāng)時(shí)的計(jì)劃是將部分DRAM價(jià)格上調(diào)15%至30%，NAND閃存價(jià)格上調(diào)5%至10%。而回到當(dāng)下，根據(jù)花旗集團(tuán)和摩根士丹利在其半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告中所預(yù)測，第四季度DRAM平均售價(jià)將上漲25-26%，比上一季度上漲10%以上，漲價(jià)熱潮或進(jìn)一步加劇。

需要承認(rèn)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正加速邁入“超級周期”幾乎已成為市場不爭的共識。如存儲(chǔ)模組大廠威剛董事長陳立白判斷，第四季度僅僅是存儲(chǔ)嚴(yán)重缺貨的起點(diǎn)，明年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)處于供貨吃緊狀態(tài)。

對存儲(chǔ)芯片供應(yīng)趨緊的預(yù)判則進(jìn)一步加劇了市場的囤貨行為。另據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道，由于擔(dān)心DRAM短缺，幾家領(lǐng)先的國際電子和服務(wù)器公司正在囤積內(nèi)存，并與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長期供應(yīng)協(xié)議，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統(tǒng)形成鮮明對照。

存儲(chǔ)芯片進(jìn)入“超級周期”的源頭何在？歸根結(jié)底，離不開AI和高性能計(jì)算需求的爆發(fā)。

正如美光公司首席商務(wù)官蘇米特·薩達(dá)納（Sumit Sadhana）所言，DRAM價(jià)格上漲部分原因是供應(yīng)緊張，而這一趨勢很大程度上是由HBM需求激增推動(dòng)的，因?yàn)镠BM消耗的晶圓容量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍多。而根據(jù)摩根士丹利預(yù)測，今年包括谷歌、亞馬遜、Meta、微軟在內(nèi)的科技巨頭，將在人工智能基礎(chǔ)設(shè)施上投入4000億美元。

也因此，國內(nèi)外存儲(chǔ)廠商紛紛將優(yōu)先布局HBM相關(guān)的先進(jìn)封測領(lǐng)域作為其經(jīng)營策略。10月20日消息，三星正在加緊推進(jìn)HBM4的研發(fā)，計(jì)劃于10月27日至31日進(jìn)行發(fā)布，并于今年晚些時(shí)候量產(chǎn)。上市公司方面，佰維存儲(chǔ)于10月21日在互動(dòng)平臺表示，公司的晶圓級先進(jìn)封測制項(xiàng)目正處于投產(chǎn)準(zhǔn)備過程中，公司正加緊惠州封測制造中心的產(chǎn)能擴(kuò)建。

從價(jià)格趨勢來看，TrendForce預(yù)測，2025年HBM的平均銷售單價(jià)將同比上漲20.8%，達(dá)到1.80美元／Gb，盈利能力可觀。另有機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)明年上市的12層HBM4產(chǎn)品單價(jià)將達(dá)到500美元，比售價(jià)約300美元的12層HBM3e高出60%以上。

不過，隨著人工智能投資從大容量數(shù)據(jù)訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理， DRAM需求增長也有望跑出加速度。根據(jù)韓國KB證券研究主管Jeff Kim預(yù)計(jì)，若當(dāng)前漲勢持續(xù)，明年非HBM內(nèi)存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。

展望未來，上海證券研報(bào)表示，AI需求旺盛推動(dòng)存儲(chǔ)需求的增長，同時(shí)由于海外原廠產(chǎn)能限制，2025年第四季度存儲(chǔ)漲價(jià)趨勢預(yù)計(jì)持續(xù)，看好本輪存儲(chǔ)大周期。也有保守聲音如華邦電董事長焦佑鈞指出，當(dāng)前DRAM供需不平衡，有可能實(shí)際需求并無這么多，不過如今仍處在供不應(yīng)求的狀況，致使缺口產(chǎn)生，供給不足下導(dǎo)致價(jià)格狂飆。

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編輯：胡晨曦

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